河南低壓自動(dòng)化控制柜-繼飛機(jī)電-低壓自動(dòng)化控制柜行業(yè) ：

配電室門窗要求圖：配電室長(zhǎng)度超過(guò)7米的需要設(shè)置2個(gè)門，門的位置前后布置。超過(guò)15米的，中間位置需加設(shè)一個(gè)門。至少要求有一個(gè)門的尺寸能滿足設(shè)備搬運(yùn)的要求，門的位置也要充分考慮后期維護(hù)、更換設(shè)備時(shí)搬運(yùn)的要求。

管溝、工井詳圖：用于管溝及工井的施工指導(dǎo)，施工工藝的不同，造價(jià)差異很大。

非開(kāi)挖牽引管施工圖：城市道路不可重復(fù)開(kāi)挖，非開(kāi)挖牽引管技術(shù)運(yùn)用越來(lái)越多，實(shí)際施工中的價(jià)格并不高，但定額單價(jià)很高，建議推廣使用。

配電室標(biāo)準(zhǔn)化建設(shè)規(guī)范表：安全用具的配備等，詳見(jiàn)附表。

主要設(shè)備材料匯總表：體現(xiàn)整個(gè)工程需要采購(gòu)的主要設(shè)備的型號(hào)規(guī)格、數(shù)量等，有時(shí)增容改造工程還會(huì)增加拆除設(shè)備的清單，預(yù)算時(shí)需要跟預(yù)算人員明確是否需要計(jì)算拆除內(nèi)容。

鄭州繼飛機(jī)電設(shè)備有限公司專業(yè)承接：配電箱電控系統(tǒng)自動(dòng)化成套控制柜，成套安裝調(diào)試 ， 電氣控制箱安裝與配線，控制電路設(shè)計(jì)，伺服電機(jī)控制及PLC編程等。

 不管保護(hù)接零還是接地裝置，保護(hù)范疇全是比較有限的。比如，“防零”就是指將電氣設(shè)備的金屬材料外殼聯(lián)接到電力網(wǎng)的中性點(diǎn)上，并在開(kāi)關(guān)電源側(cè)安裝保險(xiǎn)管。當(dāng)電氣設(shè)備碰到外殼故障(一相觸碰外殼)時(shí)，產(chǎn)生相對(duì)性零線的單相電短路故障。因?yàn)槎搪冯娏魍Υ?，保險(xiǎn)裝置迅速被融斷，開(kāi)關(guān)電源被切斷以出示保護(hù)。其原理是將“撞殼故障”改成“單相電短路故障故障”，進(jìn)而得到大短路電流切斷商業(yè)保險(xiǎn)。殊不知，在建筑施工上，電氣設(shè)備外殼撞擊故障并不是普遍。泄露故障層出不窮，如機(jī)器設(shè)備濕冷、負(fù)載過(guò)大、路線太長(zhǎng)、絕緣層脆化等造成的泄露。這種漏電流不大，沒(méi)法從商業(yè)保險(xiǎn)中迅速切斷。因而，故障不容易全自動(dòng)清除，只是會(huì)長(zhǎng)時(shí)間具有。殊不知，這類漏電流對(duì)生命安全組成了嚴(yán)重危害。因而，還必須安裝敏感度更高的走電保護(hù)器做為填補(bǔ)保護(hù)。

SSR的結(jié)構(gòu)主要由輸入(控制)電路，低壓自動(dòng)化控制柜資料，驅(qū)動(dòng)電路和輸出(負(fù)載)電路三部分組成。

1.輸入電路 input circuit

是為輸入控制信號(hào)提供一個(gè)工作回路，使之成為固態(tài)繼電器的觸發(fā)信號(hào)源。固態(tài)繼電器的輸入電路多為直流輸入，個(gè)別的為交流輸入。

直流輸入電路又分為阻性輸入和恒流輸入。阻性輸入電路的輸入控制電流隨輸入電壓呈線性的正向變化。恒流輸入電路，在輸入電壓達(dá)到一定值時(shí)，電流不再隨電壓的升高而明顯增大，這種繼電器可適用于相當(dāng)寬的輸入電壓范圍。

2.驅(qū)動(dòng)電路 driven circuit

包括隔離耦合電路、功能電路和觸發(fā)電路三部分。

隔離耦合電路，目前多采用光電耦合器和高頻變壓器兩種電路形式。常用的光電耦合器有光－三極管、光－雙向可控硅、光－二極管陣列(光－伏)等。

高頻變壓器耦合，是在一定的輸入電壓下，低壓自動(dòng)化控制柜行業(yè)，形成約10MHz的自激振蕩，通過(guò)變壓器磁芯將高頻信號(hào)傳遞到變壓器次級(jí)。

功能電路包括檢波整流、過(guò)零、加速、保護(hù)、顯示等各種功能電路。

觸發(fā)電路的作用是給輸出器件提供觸發(fā)信號(hào)。

3.輸出電路 output circuit

是在觸發(fā)信號(hào)的控制下，實(shí)現(xiàn)固態(tài)繼電器的通斷切換。輸出電路主要由輸出器件(芯片)和起瞬態(tài)抑制作用的吸收回路組成，低壓自動(dòng)化控制柜接線圖，有時(shí)還包括反饋電路。目前，各種固態(tài)繼電器使用的輸出器件主要有晶體三極管(Transistor)、單向可控硅(Thyristor或SCR)、雙向可控硅(Triac)、MOS場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)、絕緣柵型雙極晶體管(IGBT)等。

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